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SPB10N10LG 零件图片（仅供参考）

SPB10N10LG

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SPB10N10LG 规格参数

型号:SPB10N10LG
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-TO263-3-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:154 毫欧 @ 8.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 21A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:444 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:50W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TO263-3-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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SPB10N10LG 基本参数：

电子零件型号：SPB10N10LG
原始制造厂商：Ramtron（已先后被Cypress及英飞凌收购）
技术标准参数：N-CHANNEL POWER MOSFET
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
点击此处查询SPB10N10LG的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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