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SIDC03D120H6 零件图片(仅供参考)

SIDC03D120H6
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SIDC03D120H6 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号:SIDC03D120H6
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
  • 系列:-
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200V(1.2kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io):3A(DC)
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1.6V @ 3A
  • 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:27A @ 1200V
  • 不同 Vr、F 时的电容:-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:晶片
  • 供应商器件封装:带箔切割晶片
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
  • SIDC03D120H6,Ramtron(英飞凌)产品一站式供应商。
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SIDC03D120H6 基本参数:

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