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IRG8CH37K10F 零件图片（仅供参考）

IRG8CH37K10F
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IRG8CH37K10F 规格参数

  • 制造商产品型号：IRG8CH37K10F
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：IGBT 1200V 100A DIE
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：-
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：-
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，35A
  • 功率-最大值：-
  • 开关能量：-
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：210nC
  • 25°C时Td（开/关）值：35ns/190ns
  • 测试条件：600V，35A，5 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：-
  • 封装：-
  • IRG8CH37K10F，Ramtron（英飞凌）产品一站式供应商。
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IRG8CH37K10F 基本参数：

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