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IRF7303PBF 零件图片（仅供参考）

IRF7303PBF

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IRF7303PBF 规格参数

型号:IRF7303PBF
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:8-SO
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
包装:管件
产品状态:南皇电子停止提供
技术:MOSFET（金属氧化物）
配置:2 N-通道（双）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:520pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:8-SO
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IRF7303PBF 基本参数：

电子零件型号：IRF7303PBF
原始制造厂商：Ramtron（已先后被Cypress及英飞凌收购）
技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
点击此处查询IRF7303PBF的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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