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IPW50R190CE 零件图片（仅供参考）

IPW50R190CE
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IPW50R190CE 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPW50R190CE
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247
  • 系列：CoolMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：超级结
  • 漏源极电压 (Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18.5A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 6.2A, 13V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 510A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：47.2nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1137pF @ 100V
  • 功率 - 最大值：127W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商器件封装：PG-TO247-3
  • IPW50R190CE，Ramtron（英飞凌）产品一站式供应商。
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IPW50R190CE 基本参数：

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