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IPP80N06S2L-H5 零件图片（仅供参考）

IPP80N06S2L-H5
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IPP80N06S2L-H5 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPP80N06S2L-H5
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：190nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：300W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：PG-TO220-3
  • IPP80N06S2L-H5，Ramtron（英飞凌）产品一站式供应商。
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IPP80N06S2L-H5 基本参数：

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