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IPB60R199CP 零件图片(仅供参考)

IPB60R199CP
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IPB60R199CP 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPB60R199CP
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 16A TO-263
  • 系列:CoolMOS
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):650V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):16A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):199 毫欧 @ 9.9A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 660A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1520pF @ 100V
  • 功率 - 最大值:139W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,DPak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-3
  • IPB60R199CP,Ramtron(英飞凌)产品一站式供应商。
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IPB60R199CP 基本参数:

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