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IPB019N08N3 G 零件图片（仅供参考）

IPB019N08N3 G
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IPB019N08N3 G 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPB019N08N3 G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：80V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.9 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 270A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：206nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14200pF @ 40V
  • 功率 - 最大值：300W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-7，DPak（6 引线+接片），TO-263CB
  • 供应商器件封装：PG-TO263-7
  • IPB019N08N3 G，Ramtron（英飞凌）产品一站式供应商。
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IPB019N08N3 G 基本参数：

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