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IDB18E120 零件图片（仅供参考）

IDB18E120
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IDB18E120 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：IDB18E120
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
  • 系列：-
  • 二极管类型：标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200V（1.2kV）
  • 电流 - 平均整流 (Io)：31A（DC）
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：2.15V @ 18A
  • 速度：快速恢复 = 200mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr)：195ns
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：100A @ 1200V
  • 不同 Vr、F 时的电容：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：PG-TO263-3
  • 工作温度 - 结：-55°C ~ 150°C
  • IDB18E120，Ramtron（英飞凌）产品一站式供应商。
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IDB18E120 基本参数：

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