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GS66516TMRXUSA1 零件图片（仅供参考）

GS66516TMRXUSA1
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GS66516TMRXUSA1 规格参数

  • 型号:GS66516TMRXUSA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GS66516T-MR
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 18A，6V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 14mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1 nC @ 6 V
  • Vgs（最大值）:+7V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:520 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:-
  • 封装/外壳:4-SMD，无引线
  • GS66516TMRXUSA1，Ramtron（英飞凌）产品一站式供应商。
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GS66516TMRXUSA1 基本参数：

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