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BSZ086P03NS3E G 零件图片（仅供参考）

BSZ086P03NS3E G
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BSZ086P03NS3E G 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSZ086P03NS3E G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13.5A（Ta），40A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.6 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 105A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：57.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4785pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：69W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
  • BSZ086P03NS3E G，Ramtron（英飞凌）产品一站式供应商。
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BSZ086P03NS3E G 基本参数：

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