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BSS169 H6327 零件图片(仅供参考)

BSS169 H6327
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BSS169 H6327 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSS169 H6327
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
  • 系列:SIPMOS
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:耗尽模式
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):170mA(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6 欧姆 @ 170mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.8nC @ 7V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):68pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:360mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:PG-SOT23-3
  • BSS169 H6327,Ramtron(英飞凌)产品一站式供应商。
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BSS169 H6327 基本参数:

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