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BSP135 L6433 零件图片（仅供参考）

BSP135 L6433
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BSP135 L6433 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSP135 L6433
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  • 系列：SIPMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：耗尽模式
  • 漏源极电压 (Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120mA（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 欧姆 @ 120mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 94A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.9nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：146pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：1.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商器件封装：PG-SOT223-4
  • BSP135 L6433，Ramtron（英飞凌）产品一站式供应商。
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BSP135 L6433 基本参数：

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