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BSO150N03MD G 零件图片(仅供参考)

BSO150N03MD G
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BSO150N03MD G 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSO150N03MD G
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
  • 系列:OptiMOS
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):15 毫欧 @ 9.3A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.4W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:PG-DSO-8
  • BSO150N03MD G,Ramtron(英飞凌)产品一站式供应商。
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BSO150N03MD G 基本参数:

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