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BSC750N10ND G 零件图片（仅供参考）

BSC750N10ND G
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BSC750N10ND G 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSC750N10ND G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 13A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 12A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：720pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：26W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
  • BSC750N10ND G，Ramtron（英飞凌）产品一站式供应商。
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BSC750N10ND G 基本参数：

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