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2ED020I12-F 零件图片（仅供参考）

2ED020I12-F
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2ED020I12-F 规格参数

  • 型号:2ED020I12-F
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-DSO-18-2
  • 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
  • 电压 - 供电:0V ~ 18V
  • 逻辑电压- VIL，VIH:-
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，2A
  • 输入类型:反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200 V
  • 上升/下降时间（典型值）:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
  • 供应商器件封装:PG-DSO-18-2
  • 2ED020I12-F，Ramtron（英飞凌）产品一站式供应商。
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2ED020I12-F 基本参数：

  • 电子零件型号：2ED020I12-F
  • 原始制造厂商：Ramtron（已先后被Cypress及英飞凌收购）
  • 技术标准参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2
  • 产品应用分类：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
  • 点击此处查询2ED020I12-F的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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