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并行F-RAM存储器 | Ramtron英飞凌 非易失性存储器(2026/7/13更新)

并行

Ramtron的并行存储器提供高性能的并行读写操作,在没有电池的情况下真正实现数据的非易失性,并且所有字节宽度的存储器都有标准SRAM输出引脚,他们操作方式跟SRAM一样,并且提供非易失性存储,无需后备电池。

并行F-RAM存储器

 

型号

访问时间

最大工作电流

容量

封装

电压

FM23MLD16

60ns

14mA

512K x 16

48-Ball FBGA

2.7-3.6V

FM22L16

55ns

18mA

256K x 16

TSOP-II-44

3.3V

FM22LD16

55ns

18mA

256K x 16

48-Ball FBGA

2.7-3.6V

FM21L16

60ns

18mA

128K x 16

TSOP-II-44

2.7-1.6V

FM21LD16

60ns

12mA

128K x 16

48-Ball FBGA

2.7-3.6V

FM28V100

60ns

12mA

128K x 8

TSOP-I-32

2.0-3.6V

FM28V020

60ns

12mA

32K x 8

28-pin SOIC, 32-pin TSOP

2.0-3.6V

FM1808B

70ns

15mA

32K x 8

28-Pin SOIC

4.5-5.5V

FM18W08

70ns

12mA

32K x 8

28-Pin SOIC

2.7-5.5V

FM28V010

60ns

12mA

16K x 8

28-Pin SOIC

2.0-3.6V

FM1608B

70ns

15mA

8K x 8

28-Pin SOIC

4.5-5.5V

FM16W08

70ns

12mA

8K x 8

28-Pin SOIC

2.7-5.5V

FM18L08 (NRND)

70ns

15mA

32K x 8

SOIC28 PDIP28 TSOP-I-32

3.0-3.65V

FM1808 (NRND)

70ns

25mA

32K x 8

SOIC28 PDIP28

5V

FM1608 (NRND)

120ns

15mA

8K x 8

SOIC28 PDIP28

5V

 

扩展了解:FM25P16 | FM1114 (NRND) | F-RAM 低能量存储器 | WM72016 | 双/四状态保持器 | FM1112 |
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