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并行F-RAM存储器 | Ramtron 非易失性存储器
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并行
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Ramtron的并行存储器提供高性能的并行读写操作，在没有电池的情况下真正实现数据的非易失性，并且所有字节宽度的存储器都有标准SRAM输出引脚，他们操作方式跟SRAM一样，并且提供非易失性存储，无需后备电池。
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并行F-RAM存储器
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型号
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访问时间
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最大工作电流
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容量
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封装
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电压
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FM23MLD16
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60ns
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14mA
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512K x 16
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48-Ball FBGA
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2.7-3.6V
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FM22L16
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55ns
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18mA
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256K x 16
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TSOP-II-44
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3.3V
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FM22LD16
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55ns
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18mA
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256K x 16
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48-Ball FBGA
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2.7-3.6V
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FM21L16
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60ns
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18mA
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128K x 16
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TSOP-II-44
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2.7-1.6V
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FM21LD16
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60ns
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12mA
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128K x 16
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48-Ball FBGA
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2.7-3.6V
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FM28V100
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60ns
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12mA
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128K x 8
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TSOP-I-32
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2.0-3.6V
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FM28V020
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60ns
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12mA
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32K x 8
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28-pin SOIC, 32-pin TSOP
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2.0-3.6V
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FM1808B
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70ns
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15mA
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32K x 8
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28-Pin SOIC
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4.5-5.5V
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FM18W08
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70ns
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12mA
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32K x 8
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28-Pin SOIC
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2.7-5.5V
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FM28V010
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60ns
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12mA
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16K x 8
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28-Pin SOIC
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2.0-3.6V
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FM1608B
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70ns
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15mA
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8K x 8
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28-Pin SOIC
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4.5-5.5V
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FM16W08
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70ns
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12mA
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8K x 8
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28-Pin SOIC
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2.7-5.5V
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FM18L08 (NRND)
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70ns
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15mA
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32K x 8
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SOIC28 PDIP28 TSOP-I-32
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3.0-3.65V
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FM1808 (NRND)
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70ns
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25mA
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32K x 8
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SOIC28 PDIP28
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5V
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FM1608 (NRND)
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120ns
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15mA
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8K x 8
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SOIC28 PDIP28
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5V
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Ramtron官网发布的行业动态（2025年7月9日更新）
